氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的应用正在一直增长。这是由于这样一种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si)。

  长期以来，在电力电子领域占主导地位的硅几乎已达到其物理极限，从而将电子研究转向可提供更大功率密度和更好能源效率的材料。GaN 的带隙 (3.4 eV) 大约是硅 (1.1 eV) 的 3 倍，提供更高的临界电场，同时降低介电常数，以此来降低 R DS( on)在给定的阻断电压下。与硅相比（在更大程度上，与碳化硅 [SiC]）相比，GaN 的热导率更低（约为 1.3 W/cmK，而在 300K 时为 1.5 W/cmK），需要仔细设计布局和适当的开发出能够有效散热的封装技术。通过用 GaN 晶体管代替硅基器件，工程师可以设计出更小、更轻、能量损失更少且成本更低的电子系统。

  受汽车、电信、云系统、电压转换器、电动汽车等应用领域对日益高效的解决方案的需求的推动，基于 GaN 的功率器件的市场占有率正在急剧增长。在本文中，我们将介绍 GaN 的一些应用，这些应用不仅代表了技术挑战，而且最重要的是，代表了扩大市场的新兴机遇。

  1月5日晚，江西省上饶市万年县人民政府与上海格晶半导体有限公司举行了合作签约仪式。

  仪式上，万年县政府副县长张东与格晶半导体董事长白俊春等出席，并就氮化镓第三代半导体产业化项目进行了签约。

  上海格晶半导体有限公司的氮化镓第三代半导体产业化项目总投资达25亿元，产品主要客户有华为海思、小米、VIVO、OPPO等手机生产厂商，和中兴通讯****、CETC军用雷达、吉利汽车快充等。项目投产后可实现年产5万片8寸GaN功率器件，解决700人就业，成为江西省第一家，中国第二家量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂。同时，该项目的落地，将助力万年县产业体系调整，填补万年县半导体领域高端制造业空白。

  3月2日，SweGaN官网宣布，他们正在瑞典林雪平的创新材料集群建设一个新总部，包括一个大规模的半导体生产设施。据悉，SweGaN是一家为电信、卫星、国防和电力电子应用制造定制的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 外延晶圆（基于独特的生长技术）的公司。

  报道称，该项目计划于今年第二季度末完成，将部署创新制造工艺，以大批量生产下一代 GaN-on-SiC 工程外延晶圆，预计年产能将高达4万片4/6英寸外延片。

  而且，2022年9月，该扩产项目就已经获得1200 万欧元（约8300万人民币） A 轮融资的支持，以满足5G****、国防雷达、低轨道卫星通信和电动汽车车载充电器主要供应商的市场需求。

  此外，2022年7月，SweGaN还获得了一次投资，获投金额与本次融资金额相近（约8216万元人民币），资金将用于扩大员工数量，并建设新的生产线。

  SweGaN于2022年表示，预计几年后，公司年营业额将从2021年的1700万瑞典克朗增加到2亿瑞典克朗（约1.3亿元人民币），营收目标做到“数十亿”。

  3月6日，“嘉兴城南”官微发文称，博康(嘉兴)半导体总投资约6亿元的氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工，该项目占地面积46667平方米，其中一期用地约33200平方米。其中一期用地约33200平方米。该项目瞄准第三代半导体新材料领域，集产品研制、生产、销售等功能为一体。

  此次落户的博康半导体产品将覆盖电信基础设施、射频能源及各类通用市场的应用，为5G移动通讯****、宽频带通信等射频领域提供半导体产品及解决方案。

  公开资料显示，博康（嘉兴）半导体成立于2022年10月，公司主要营业业务包括半导体分立器件制造、销售及服务等。

  而且，3月3日，嘉兴市公共资源交易中心发布招标公告称，博康（嘉兴）半导体年产3000片氮化镓射频功率芯片先导线项目设计对外采购施工总承包，招标估算价约为1.9亿元。

  根据公告，博康的氮化镓项目位于浙江嘉兴经开区，总工期历时一年左右，将新建工业生产厂房30543平米，并引进光刻机、磁控溅射机等设备约100台套用于生产国内技术领先的通信用氮化镓射频芯片先导线片。

  3月13日，济宁国家高新技术产业开发区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目环评表。

  该GaN项目于2019年3月开工建设，总投资15亿元，总建筑面积10.1万平米，建设涵盖生产车间、研发中心、检测等全系列产业链的标准化园区。

  根据公告，该项目一期将购置晶体生长炉、大型多线切割机、自动倒角机等先进设备266台（套），形成长晶、切割、抛光、激光剥离等全链条生产线万片。

  4月26日，江西中科半导体官网发布了他们建设的“第三代半导体氮化镓材料产业化项目（一期）环评第二次公示”。

  根据环评报告，该项目（一期）位于江西吉安井冈山经开区，项目投资金额为 2 亿元，占地面积约50亩，将新建厂房及附属配套设施约3万平方米，建成后形成年产 1.5 万片硅衬底氮化镓外延片材料。

  其中，6英寸硅衬底氮化镓外延片材料的规划年产能为 10000 片，8 英寸硅衬底氮化镓外延片材料的规划年产能为 5000 片。

  除该项目外，吉安中科还在江西赣州建设了氮化镓项目——2021年8月，吉安中科的全资子公司深圳中科建设的“氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目”正式签约落户于赣州经开区，总投资金额为2亿元。

  4月27日下午，合肥光电半导体产业技术研究院启动仪式日前在合肥高新区举行。

  启动仪式上，面向AR成像与显示一体单片集成器件设计、自主智能无人系统、超低介电常数与超低损失B5G/6G毫米波材料、氮化镓HEMT功率器件的研发及产业化、面向储能和充电桩领域的GaN高功率器件应用、微米光刻设备及其核心曝光器件的研发与产业化、有机微米LED工艺及设备研发与产业化、光伏发电真空玻璃等八个项目进行了集中签约。

  另外，合肥光电半导体产业技术研究院宽禁带半导体技术实验室、特种封测技术实验室、光电制备与检测技术实验室、智能光机电技术实验室、微波与红外技术实验室等五个实验室也正式成立。

  合肥光电半导体产业技术研究院（合肥复熵光电科技有限公司）注册成立于2022年12月，由沈学础院士、迟力峰院士领衔组建，依托复旦大学信息学院和中科院上海技术物理研究所的开发团队，打造“产业创新型”新型研发机构。在2023年2月举行的“科大硅谷”核心区二期开园三期开工暨项目集中签约仪式上，合肥光电半导体产业技术研究院等9家科创平台项目代表进行了集中签约。

  6月26日上午，由西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（简称ICCT）合作共建的“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心”，在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上成功签约。

  本次会议在新加坡乌节大酒店召开，广东省省长王伟中，驻新加坡大使孙海燕，广州市委常委、黄埔区委书记、广州开发区管委会主任陈杰，新加坡卫生部部长王乙康，新加坡贸易及工业部，文化、社区及青年部部长陈圣辉等领导参加会议并致辞。研究院党委书记刘丰雷、院长助理吕鹏以及广州第三代半导体创新中心执行主任刘志宏参加会议。会议上，刘丰雷代表西电广研院与新加坡ICCT签署共建协议。

  西电广研院与ICCT将共同打造国际一流第三代半导体先进封装研发技术平台、中试平台、产业融合平台和高层次人才教育培训基地。

  氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心的成立，是西电广研院发展布局的重要战略举措，是“产学研”合作国际化的首次突破，西电广研院在服务湾区电子信息产业高质量发展的道路上又迈出了坚实的一步，西电广研院将携手ICCT共同为广东省及粤港澳大湾区社会经济高水平发展作贡献。

  据悉，ICCT由Yew Chee Kiang（杨志强）博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半导体封装材料和封装技术服务的中小型企业。技术团队主要由来自世界知名半导体企业如德州仪器、宇芯半导体、英飞凌、住矿等的行业资深专业工程师组成，技术团队丰富的行业经验使本公司更了解客户的真实需求，可以为客户提供更多层次、更高效、更低成本的解决方案。公司客户广泛分布于世界各地，包括美国德州仪器（Texas Instruments），欧洲恩智浦（NXP）、意法半导体，日本Rohm（罗姆）、爱普生（Epson）、住友（Sumitomo）、精工（Seiko），马来西亚宇芯、密特（Metek），中国大陆洛科材料，台湾Cirtek等知名半导体公司。

  创始人Yew Chee Kiang（杨志强）博士毕业于英国思克莱德（University of Strathclyde）大学，在半导体封装领域耕耘多年，经验比较丰富。曾任AdvanPack Solutions Pte Ltd（新加坡）首席技术官兼欧洲区域市场总监，主持研发半导体封装技术与新客户开发。

  6月29日，珠海市工业和信息化局公布了2023年“创客广东”珠海市中小企业创新创业大赛初赛评审结果，其中入围的包括一个GaN项目。

  根据公告，珠海方唯成半导体主导的“氮化镓自支撑衬底项目”成功入围复赛。目前该项目还未披露更多详细的信息，“行家说三代半”将持续跟进该项目进展，敬请关注。

  企查查显示，方唯成半导体成立于2022年4月，为珠海经济特区方源有限公司的控股子公司（持股比例85%）。

  “行家说三代半”发现，今年5月，方源公司还对外新增投资滨州镓元新材料有限公司（持股比例 20%）。镓元新材料旗下有一个金属镓项目——

  镓元新材料已租用汇宏新材料的40亩土地，投资1.5亿元建设氧化铝原矿提取镓元素项目。目前该项目已落户，达产后将年产120吨金属镓。

  7月3日，印度科学研究所(IISc) 正在建设 GaN 中心项目，为此订购了牛津仪器的全套等离子体处理解决方案——包括原子层蚀刻 (ALE)、电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻模块、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)。

  据悉，这套氮化镓等离子体加工解决方案将用于开发下一代GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 高功率和高频功率电子器件和射频器件，以提供更好的效率和性能。

  7月6日，据台媒消息，台湾省经济部近日宣布，将斥资28亿新台币（约6.48亿人民币）投资一家晶圆代工厂，在新竹科学园区增设氮化镓器件及砷化镓器件自动化产线。

  据悉，该晶圆代工厂具备成熟的硅基半导体代工经验，并致力于开辟化合物半导体产业的新布局，但目前未披露该代工厂的更多信息。

  此外，该GaN与GaAs的产线建设，还将在厂房屋顶装置太阳能板，有效提升绿电使用比例，逐步落实减碳排。

  东科半导体项目：总投资12.25亿，年产1亿只超高频AC/DC电源管理芯片，5000万只GaN电源模组

  据悉，此次投入到正常的使用中的新厂区占地52亩，新建厂房5.1万平方米，主要是做氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片、氮化镓应用模组封装线的研发、生产和销售。全部达产后，预计可实现年出售的收益10亿元。

  据“行家说三代半”此前报道，该项目于2020年10月集中开工，总投资为12.25亿元，主要建设标准GMP洁净厂房、办公楼、研发楼等，新增2条GaN超高频AC/DC电源管理芯片封装线条GaN应用模组封装线亿只超高频AC/DC电源管理芯片，5000万只GaN电源模组。

  2021年6月，该GaN项目标准化厂房一期1栋厂房第一区段整体的结构封顶。

  德州人才发展集团公布消息称，7月17日下午，第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片设计与制造项目落地座谈会在德州（北京）协同创新中心成功举办。

  北京博神微电子科技有限公司董事长兼总经理林福荣等4位公司负责人和技术专家，天衢新区投资促进部副部长党英鹏，天衢新区高端装备产业招商局副局长孙东江参加座谈，德州人才发展集团副总经理戴元滨陪同并主持，中心负责同志参与对接。

  会议上，北京博神微电子董事长林福荣介绍了企业概况，并重点介绍了第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片设计与制造项目的核心竞争力、商品市场拓展情况，以及未来在德州落地的计划和需求。

  最终，天衢新区和博神微电子围绕推动项目快速落地进行了深入的沟通和洽谈，达成初步合作意向。

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